沉積、光刻、刻蝕以及等離子注入是半導體和超越摩爾領域制造工藝的 4 大關鍵技術。在新晶圓産線的投資建設中，約 80% 的投資用于購買設備，薄膜沉積設備更是占據其中約 25% 的比重。業界主流的薄膜沉積工藝主要有原子層沉積 (ALD)、物理式真空鍍膜 (PVD) 和化學式真空鍍膜 (CVD) 等。其中 ALD 屬于 CVD 的一種，是當下最先進的薄膜沉積技術。調研機構 GIR 相關報告表明，全球 ALD 設備的市場規模在 2021-2026 年的年複合增長率預計達到 25.1%，將(jiāng)從 2019 年的 10.661 億美元增至 2026 年的 26.129 億美元。
随著(zhe)新材料、新制程、新工藝在新興半導體制造行業的應用與發展，ALD 技術可以使得材料以單原子膜（0.1nm）形式沉積在基闆表面(miàn)的特性，在沉積層的厚度控制、3D 異形材料表面(miàn)均勻度、表面(miàn)無針孔、折射率等方面(miàn)具有顯著優勢，因此特别适用于 MEMS、CMOS 圖像傳感器等産品的制造與生産，并逐漸成(chéng)爲超越摩爾領域的鍍膜沉積技術首選。
青島四方思銳智能(néng)技術有限公司（SRII）全資子公司——BENEQ 全新推出的 TransformTM 系列設備是專爲超越摩爾應用市場提供的具有競争力的 ALD 解決方案。TransformTM 平台采用了全新的集群設計和尖端的鍍膜沉積技術，可以爲 8" 及以下晶圓的表面(miàn)沉積多種材料，包括 Al2O3、SiO2、AlN、TiN 等氧化物與氮化物，并實現完全保形和高均勻性的薄膜沉積。BENEQ 半導體業務技術總監 Alexander Perros 介紹 ：BENEQ 通用型 ALD 技術的超越摩爾應用矩陣十分豐富，包括功率器件、濾波器、MEMS 和 CIS 等。同時，BENEQ 針對不同的細分市場也推出了不同的 ALD 解決方案，主要包括高 K 介電質、表面(miàn)鈍化、ALD 成(chéng)核層、化學阻擋層、防潮層及抗反射膜等。例如，表面(miàn)鈍化，可以用不同 ALD 材料來實現表面(miàn)鈍化，防潮層則在封裝上發揮關鍵作用；這些均在廣泛的應用中具備很強的通用性。
代表BENEQ先進通用型ALD技術的TransformTM 系列設備
一個平台，多種配置
BENEQ Transform ™憑借多功能(néng)性和靈活性，制造了全新的 ALD 集群工具設備。可适用于廣泛的應用場景并滿足不同的市場細分。Beneq Transform ™配置多個 ALD工藝模塊，以滿足特定的晶圓産能(néng)要求，也可爲應對不斷增長的産量或新的 ALD 應用而進行升級。
BENEQ 半導體業務負責人 Patrick Rabinzohn 表示 ：“TransformTM 平台兼容單片、批量、熱法以及等離子體等功能(néng)，是目前業界僅有、集多項功能(néng)于一體的通用型先進平台。不僅如此，TransformTM 平台更具備靈活配置的優勢，客戶可以根據自身需求，選擇‘3 組 ALD 模塊 + 預加熱模塊’構建 TransformTM 的标準配置、或‘2 組 ALD 模塊+ 預加熱模塊’構建 TransformTM Lite 的簡化配置，實現差異化、更具效益的生産和管理方式，并在主流廠商中開拓了意向(xiàng)訂單。”
以鍍膜沉積 50 納米的氧化鋁爲例，若采用标準配置的 TransformTM 系統，最多的産量可以達到每小時 40 片晶圓以上，即使 Lite 設備也能(néng)達到每小時 25 片以上，這于整個行業對 ALD 的傳統認知可謂颠覆性的技術突破！Beneq TransformTM 專爲晶圓廠而設計，适用于廣泛的高性能(néng)氧化物和氮化物，在工藝制備中可滿足最苛刻的薄膜沉積要求，并提供無與倫比的靈活性。工業标準的水平晶圓裝載可實現即插即用的無縫集成(chéng)。配備獨特的預熱模塊，可減少數小時的等待時間，并將(jiāng)産能(néng)提升到一個全新的水平。
BENEQ TransformTM 平台已經通過 SEMI S2/S8 認證，支持 SECS/GEM 标準，并逐漸向(xiàng) 12" 晶圓的成(chéng)熟沉積技術邁進。除了縱向(xiàng)的技術、性能(néng)、産能(néng)突破，憑借BENEQ 先進的通用型 ALD 技術，思銳智能(néng)正在拓展更多前沿垂直行業的應用創新，將(jiāng)爲客戶提供靈活、可靠、高産能(néng)的半導體晶圓鍍膜量産解決方案。
銷售客服